60VMOS管 GMP60N06 N沟道场效应管 60N06 TO-220

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-11-24 11:01:51点击：6次

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  60VMOS管 GMP60N06 N沟道场效应管 60N06 TO-220

  
  

  
  

  60VMOS管 GMP60N06的特点：
  

  • 超低导通电阻

  • 低栅电荷密度

  • 快速开关能力

  • 高工作温度范围

  • 封装形式：TO-220

  
  

  
  

  60VMOS管 GMP60N06的引脚图：

  

  
  

  
  

  60VMOS管 GMP60N06的应用领域：

  • 开关电源

  • DC-DC变换和不间断电源

  • 脉宽调制电机控制

  • 普通开关应用
    

  
  

  
  

  60VMOS管 GMP60N06的特性参数：

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	60	V
  栅极-源极电压	VGS	±20
  漏极电流-连续 TC=25℃	ID	60	A
  漏极电流-连续 TC=100℃		39
  漏极电流-脉冲	IDM	120
  总耗散功率 TC=25℃	PTOT	120	W
  结温/存储温度	TJ/Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  60VMOS管 GMP60N06的电特性：
  

  （如无特殊说明，T_A=25℃）

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	BVDSS	60			V
  栅极开启电压	VGS(th)	2	3	4
  零栅压漏极电流	IDSS			1	uA
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  静态漏源导通电阻	RDS(ON)		16	18	mΩ
  源极-漏极电流	ISD			60	A
  源极-漏极电流（脉冲）	ISDM			120
  内附二极管正向压降	VSD			1.5	V
  输入电容	CISS			2000	pF
  输出电容	COSS			400
  栅源电荷密度	Qgs		12		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		10
  开启时间	t(on)			30	ns
  关断时间	t(off)			50
  反向恢复时间	trr		132

  
  

  
  

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