MOS管3400的参数 GM3400 N沟道MOS管 30V场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-11-03 11:25:42点击：6次

• 
  

  MOS管3400的参数 GM3400 N沟道MOS管 30V场效应管

  
  

  
  

  N沟道MOS管 GM3400的描述：

          3400是一个5A30V的N沟道MOS场效应管，3400适用于电池保护线路、功率开关电路、脉冲调制电路等。

  
  

  
  

  N沟道MOS管 GM3400的特点：

  • 高ESD能力

  • 开关速度快

  • 低功耗

  • 封装形式：SOT-23
    

  
  

  
  

  N沟道MOS管 GM3400的引脚图：
  

  

  
  

  
  

  N沟道MOS管 GM3400的极限值：

  • 漏极-源极电压 B_VDSS ------------------------------------------------  30V

  • 栅极-源极电压 V_GS ---------------------------------------------------  ±12V

  • 漏极电流-连续 I_D -----------------------------------------------------  5A

  • 漏极电流-脉冲 I_DM ---------------------------------------------------  18A

  • 总耗散功率(T_A=25℃) P_D --------------------------------------------  1400mW

  • 结温 T_j -----------------------------------------------------------------  150℃

  • 存储温度 T_stg ----------------------------------------------------------  -55~+150℃
    

  
  

  
  

  N沟道MOS管 GM3400的电特性：

  如无特殊说明，T_A=25℃

  特性参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	BVDSS	30			V
  栅极开启电压	VGS(th)	0.6		2
  内附二极管正向压降	VSD		0.7	1
  零栅压漏极电流	IDSS			1	uA
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  静态漏源导通电阻 ID=5A,VGS=10V	RDS(ON)		35	41	mΩ
  静态漏源导通电阻 ID=3.5A,VGS=4.5V			40	45
  静态漏源导通电阻 ID=3A,VGS=2.5V			50	55
  输入电容	Ciss		545		pF
  输出电容	Coss		66
  开启时间	t(on)		9.6		ns
  关断时间	t(off)		39

  
  

  
  

  ---

  声明：本网站原创内容，如需转载，请注明出处；本网站转载的内容（文章、图片、视频）等资料版权归原网站所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片，未能及时和您确认，避免给双方造成不必要的经济损失，请电邮联系我们，以便迅速采取适当处理措施；邮箱：limeijun@yushin88.com