可控硅T810 8A双向可控硅 T810 国产可控硅

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-11-02 11:21:41点击：6次

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  可控硅T810 8A双向可控硅 T810 国产可控硅

  
  

  
  

  国产可控硅 T810的应用领域：

          T810可控硅应用于：加热控制器、马达调速控制器、麻将机、搅拌机、直发器、面包机等家用电器。

  
  

  
  

  国产可控硅 T810的引脚图：

     

  
  

  
  

  国产可控硅 T810的特点：
  

  • NPNPN 五层结构的硅双向器件

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 工作结温高，换向能力强

  • 高电压变化率 dV/dt

  • 大电流变化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：TO-220F、TO-252
    

  
  

  
  

  国产可控硅 T810的极限值(T_CASE=25℃)：

  • 断态重复峰值电压 V_DRM/V_RRM --------------------------------------------  600/800V

  • 通态均方根电流 I_T(RMS) -----------------------------------------------------  8A

  • 通态不重复浪涌电流 I_TSM --------------------------------------------------  80A

  • 通态电流临界上升率 dI_T/dt -------------------------------------------------  50A/μs

  • 门极峰值电流 I_GM -----------------------------------------------------------  4A

  • 门极平均功率 P_G(AV) --------------------------------------------------------  1W

  • 存储温度 T_STG ---------------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作结温 T_j -------------------------------------------------------------------  -40~+125℃
    

  
  

  
  

  国产可控硅 T810的电特性：

  符号	参数	数值	单位
  IGT	门极触发电流	≤10	mA
  VGT	门极触发电压	≤1.3	V
  VGD	门极不触发电压	≥0.2
  IH	维持电流	≤15	mA
  IL	擎住电流 I-III	≤25
  	擎住电流 II	≤30
  dVD/dt	断态电压临界上升率	≥40	V/μs
  VTM	通态压降	≤1.55	V

  
  

  
  

  国产可控硅 T810的型号、标识说明：

  

  
  

  
  

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