30VN沟道MOS管 GMW010N03 TO-252 贴片MOSFET

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-10-31 16:31:09点击：6次

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  30VN沟道MOS管 GMW010N03 TO-252 贴片MOSFET

  
  

  
  

  30VN沟道MOS管 GMW010N03的应用领域：

  • 电源管理

  • 脉宽调制

  • 负载开关应用
    

  
  

  
  

  30VN沟道MOS管 GMW010N03的特点：

  • 低导通电阻和最大直流电流能力

  • 超高元胞密度设计

  • 封装形式：TO-252
    

  
  

  
  

  30VN沟道MOS管 GMW010N03的引脚排列图：

  

  
  

  
  

  30VN沟道MOS管 GMW010N03的电特性：
  

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	30	V
  栅极-源极电压	VGS	±20
  漏极电流-连续 TC=25℃	ID	40	A
  漏极电流-脉冲	IDM	160
  总耗散功率 TC=25℃	PTOT	40	W
  热阻	RθJC	3	℃/W
  结温/存储温度	TJ,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  30VN沟道MOS管 GMW010N03的电特性：
  

  如无特殊说明，T_A=25℃

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	BVDSS	30			V
  栅极开启电压	VGS(th)	1	1.5	2.5
  零栅压漏极电流	IDSS			1	uA
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  静态漏源导通电阻 ID=20A,VGS=10V	RDS(ON)		7.6	10	mΩ
  静态漏源导通电阻 ID=10A,VGS=4.5V			11	17
  内附二极管正向压降	VSD			1.2	V
  输入电容	CISS		1000		pF
  共源输出电容	COSS		140
  回馈电容	CRSS		100
  栅极电荷密度	Qg		23		nC
  栅源电荷密度	Qgs		4
  栅漏电荷密度	Qgd		7
  开启延迟时间	td(on)		7		ns
  开启上升时间	tr		23
  关断延迟时间	td(off)		30
  开启下降时间	tf		5

  
  

  
  

  30VN沟道MOS管 GMW010N03的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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