可控硅T1210 双向可控硅 T1210 TO-263

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-10-30 17:12:51点击：6次

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  可控硅T1210 双向可控硅 T1210 TO-263

  
  

  
  

  双向可控硅 T1210的引脚图：

  

  
  

  
  

  双向可控硅 T1210的特点：

  • NPNPN 五层结构的硅双向器件

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 工作结温高，换向能力强

  • 高电压变化率 dV/dt

  • 大电流变化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：TO-263、TO-220F
    

  
  

  
  

  双向可控硅 T1210的应用领域：
  

          T1210双向可控硅应用于：加热控制器、马达调速控制器、麻将机、搅拌机、直发器、面包机等家用电器。
  

  
  

  
  

  双向可控硅 T1210的极限参数(T_CASE=25℃)：

  符号	参数	数值	单位
  VDRM/VRRM	断态重复峰值电压	600/800	V
  IT(RMS)	通态均方根电流	12	A
  ITSM	通态不重复浪涌电流	120
  I2t	I2t 值	78	A2s
  dIT/dt	通态电流临界上升率	50	A/μs
  IGM	门极峰值电流	4	A
  PG(AV)	门极平均功率	1	W
  TSTG	存储温度	-40~+150	℃
  Tj	工作结温	-40~+125

  
  

  
  

  双向可控硅 T1210的电特性：

  符号	参数	数值	单位
  IGT	门极触发电流	≤10	mA
  VGT	门极触发电压	≤1.3	V
  VGD	门极不触发电压	≥0.2
  IH	维持电流	≤15	mA
  IL	擎住电流 I-III	≤25
  	擎住电流 II	≤30
  dVD/dt	断态电压临界上升率	≥40	V/μs
  VTM	通态压降	≤1.55	V

  
  

  
  

  双向可控硅 T1210的参数特性曲线：

  

  
  

  
  

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