双N沟道场效应管 EMB17A03H EDFN 5X6封装MOS管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-10-28 10:00:42点击：6次

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  双N沟道场效应管 EMB17A03H EDFN 5X6封装MOS管

  
  

  
  

  双N沟道场效应管 EMB17A03H的引脚图：

  

  
  

  
  

  双N沟道场效应管 EMB17A03H的极限值：

  (除非有特殊要求，T_C=25℃)

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	30	V
  栅极-源极电压	VGS	±20
  漏极电流-连续 TC=25℃	ID	16	A
  漏极电流-连续 TC=100℃		10
  漏极电流-脉冲	IDM	64
  雪崩电流	IAS	16
  雪崩能量	EAS	5	mJ
  重复雪崩能量	EAR	2.5
  功耗 TC=25℃	PD	25	W
  功耗 TC=100℃		10
  结温和存储温度	Tj,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  双N沟道场效应管 EMB17A03H的电特性：

  (除非有特殊要求，T_C=25℃)

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	V(BR)DSS	30			V
  栅极开启电压	VGS(TH)	1	1.5	3
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V	IDSS			1	μA
  零栅压漏极电流 VDS=20V,VGS=0V,TJ=125℃				25
  静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=16A	RDS(ON)		14.5	17	mΩ
  静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=10A			21	26
  正向跨导	gfs		18		S
  输入电容	Ciss		597		pF
  输出电容	Coss		111
  反向传输电容	Crss		96
  栅源电荷密度	Qgs		1.8		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		4.7
  开启延迟时间	td(on)		10		nS
  开启上升时间	tr		15
  关断延迟时间	td(off)		35
  开启下降时间	tf		20

  
  

  
  

  双N沟道场效应管 EMB17A03H的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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