30VN沟道MOS管 EMB12N03H EDFN 5X6 贴片MOSFET

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-10-12 11:06:59点击：6次

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  30VN沟道MOS管 EMB12N03H EDFN 5X6 贴片MOSFET

  
  

  
  

  30VN沟道MOS管 EMB12N03H的引脚图：

  

  
  

  
  

  30VN沟道MOS管 EMB12N03H的极限值：

  (如无特殊要求，T_C=25℃)

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	30	V
  栅极-源极电压	VGS	±20
  漏极电流-连续 TC=25℃	ID	25	A
  漏极电流-连续 TC=100℃		20
  漏极电流-脉冲	IDM	100
  雪崩电流	IAS	30
  雪崩能量	EAS	45	mJ
  重复雪崩能量	EAR	22.5
  功耗 TC=25℃	PD	35	W
  功耗 TC=100℃		14
  结温/存储温度范围	Tj,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  30VN沟道MOS管 EMB12N03H的热阻：
  

  • 结到管壳的热阻：3.5℃/W

  • 结到环境的热阻：62℃/W
    

  
  

  
  

  30VN沟道MOS管 EMB12N03H的电特性：
  

  (如无特殊要求，T_C=25℃)

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	V(BR)DSS	30			V
  栅极开启电压	VGS(th)	1	1.7	3
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V	IDSS			1	μA
  零栅压漏极电流 VDS=20V,VGS=0V，Tj=125℃				25
  静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=15A	RDS(ON)		9.7	11.5	mΩ
  静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=10A			17	23
  正向跨导	gfs		15		S
  输入电容	Ciss		762		pF
  输出电容	Coss		150
  反向传输电容	Crss		130
  栅源电荷密度	Qgs		2.1		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		6.5
  开启延迟时间	td(on)		8		nS
  开启上升时间	tr		6
  关断延迟时间	td(off)		18
  开启下降时间	tf		3

  
  

  
  

  30VN沟道MOS管 EMB12N03H的封装外形尺寸：
  

  

  
  

  
  

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