达林顿芯片半导体元器件制造工艺及缺陷？

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-09-30 17:14:57点击：6次

• 半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信 号和进行能量转换。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件（即晶体二极管）的基本结构是一个PN结。那么达林顿芯片半导体元器件制造工艺及缺陷？

  

  1、芯片加工中的缺陷与成品率预测

  
  

  芯片制造缺陷的分类：

  
  

  全局缺陷：光刻对准误差、工艺参数随机起伏、线宽变化等；在成熟、可控性良好的工艺线上，可减少到极少，甚至几乎可以消除。

  
  

  局域缺陷：氧化物针孔等点缺陷，不可完全消除，损失的成品率更高。

  
  

  点缺陷：冗余物、丢失物、氧化物针孔、结泄漏。

  
  

  来源：灰尘微粒、硅片与设备的接触、化学试剂中的杂质颗粒。

  
  

  2、混合集成电路的失效

  
  

  混合集成电路工艺：

  
  

  IC工艺：氧化、扩散、镀膜、光刻等。

  
  

  厚膜工艺：基板加工、制版、丝网印刷、烧结、激光调阻、分离元器件组装等。

  
  

  薄膜工艺：基板加工、制版、薄膜制备、光刻、电镀等。

  
  

  失效原因：

  
  

  元器件失效：31%。

  
  

  互连失效：23%。

  
  

  引线键合失效、芯片粘结不良等沾污失效：21%

  
  

  关于混合集成电路：

  
  

  按制作工艺，可将集成电路分为：

  
  

  （1）半导体集成电路（基片：半导体）         

  
  

  即：单片集成电路（固体电路）         

  
  

  工艺：半导体工艺（扩散、氧化、外延等）

  
  

  （2）膜集成电路（基片：玻璃、陶瓷等绝缘体）         

  
  

  工艺：         

  
  

  薄膜集成电路——真空蒸镀、溅射、化学气相沉积技术         

  
  

  厚膜集成电路——浆料喷涂在基片上、经烧结而成（丝网印刷技术）

  
  

  3、混合集成电路（Hybrid Integrated Circuit）

  
  

  特点：充分利用半导体集成电路和膜集成电路各自的优点，达到优势互补的目的；

  
  

  工艺：用膜工艺制作无源元件，用半导体IC或晶体管制作有源器件。

  
  

  
  

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