BTA26 国产可控硅 25A双向可控硅 BTA26
国产可控硅 BTA26的引脚图:
国产可控硅 BTA26的特点:
NPNPN 五层结构的硅双向器件
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
工作结温高,换向能力强
高电压变化率 dV/dt
大电流变化率 dI/dt
符合 RoHS 规范
封装形式:TO-3P、TO-220A
国产可控硅 BTA26的应用领域:
BTA26可控硅应用于:加热控制器、彩灯控制器、电饭煲、燃气点火器、电风扇调速器等...
国产可控硅 BTA26的极限值(TCASE=25℃):
断态重复峰值电压 VDRM/VRRM:600/800V
通态均方根电流 IT(RMS):25A
通态不重复浪涌电流 ITSM:250A
通态电流临界上升率 dIT/dt:50A/μs
门极峰值电流 IGM:4A
门极平均功率 PG(AV):1W
存储温度 TSTG:-40~+150℃
工作结温 Tj:-40~+125℃
国产可控硅 BTA26的电特性:
符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
CW | BW | |||
IGT | 门极触发电流 | ≤35 | ≤50 | mA |
VGT | 门极触发电压 | ≤1.3 | V | |
VGD | 门极不触发电压 | ≥0.2 | ||
IH | 维持电流 | ≤50 | ≤75 | mA |
IL | 擎住电流 I-III | ≤60 | ≤80 | |
擎住电流 II | ≤80 | ≤90 | ||
dVD/dt | 断态电压临界上升率 | ≥500 | ≥1000 | V/μs |
VTM | 通态压降 | ≤1.55 | V |
国产可控硅 BTA26的参数特性曲线:
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