N沟道MOS管 GM1530 SOT-23 150V场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-09-12 11:09:24点击：6次

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  N沟道MOS管 GM1530 SOT-23 150V场效应管

  
  

  
  

  N沟道MOS管 GM1530的特点：
  

  • 低导通电阻和最大直流电流能力

  • 超高元胞密度设计

  • R_DS(ON)TYP300mΩ@VGS=10V
    

  
  

  
  

  N沟道MOS管 GM1530的应用领域：

  • 笔记本电源管理

  • LED 驱动

  • 负载开关应用
    

  
  

  
  

  N沟道MOS管 GM1530的引脚图：

  

  
  

  
  

  N沟道MOS管 GM1530的极限值：

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	150	V
  栅极-源极电压	VGS	±20
  漏极电流-连续 TC=25℃	ID	1.5	A
  漏极电流-脉冲	IDM	5
  总耗散功率 TC=25℃	PTOT	1.25	W
  热阻	RθJA	65	℃/W
  结温/存储温度	TJ,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  N沟道MOS管 GM1530的电特性：

  (如无特说说明，T_A=25℃)

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	BVDSS	150			V
  栅极开启电压	VGS(th)	1.5	2	2.5
  零栅压漏极电流	IDSS			1	uA
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  静态漏源导通电阻 ID=1.5A,VGS=10V	RDS(ON)		300	330	mΩ
  漏极-源极电流	ISD			1.5	A
  内附二极管正向压降	VSD			1.2	V
  输入电容	CISS		235		pF
  共源输出电容	COSS		36
  栅源电荷密度	Qgs		1.4		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		2.1
  开启延迟时间	td(on)		8		ns
  开启上升时间	tr		10
  关断延迟时间	td(off)		20
  开启下降时间	tf		15

  
  

  
  

  N沟道MOS管 GM1530的典型特性曲线：

  

  
  

  
  

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