MOS管 EMB12N10A TO-252 100V场效应管 12N10

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-09-03 15:43:17点击：6次

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  MOS管 EMB12N10A TO-252 100V场效应管 12N10

  
  

  
  

  100V场效应管 EMB12N10A的引脚图：

  

  
  

  
  

  100V场效应管 EMB12N10A的极限值(除非另有规定，T_A=25℃)：

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	100	V
  栅极-源极电压	VGS	±20
  漏极电流-连续 TC=25℃	ID	68	A
  漏极电流-连续 TC=100℃		43
  漏极电流-脉冲	IDM	150
  雪崩电流	IAS	18
  雪崩能量	EAS	16.2	mJ
  重复雪崩能量	EAR	8.1
  功耗 TC=25℃	PD	89	W
  功耗 TC=100℃		35
  结温和存储温度	Tj，Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  100V场效应管 EMB12N10A的电特性(除非另有规定，T_J=25℃)：

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	V(BR)DSS	100			V
  栅极开启电压	VGS(th)	1	2	3
  栅极漏电流 VDS=0V,VGS=±12V	IGSS			±100	nA
  静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=12A	RDS(ON)		9.5	12	mΩ
  静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=10A			11.5	15
  正向跨导	gfs		45		S
  输入电容	Ciss		2130		pF
  输出电容	Coss		336
  反向传输电容	Crss		29
  栅源电荷密度	Qgs		10		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		8.2
  开启延迟时间	td(on)		6		nS
  开启上升时间	tr		10
  关断延迟时间	td(off)		8
  开启下降时间	tf		25

  
  

  
  

  100V场效应管 EMB12N10A的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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