MOS管2N7002 60VN沟道场效应管 7002中文规格书

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-09-01 15:28:02点击：6次

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  MOS管2N7002 60VN沟道场效应管 7002中文规格书

  
  

  
  

  MOS管2N7002的引脚图：

  

  
  

  
  

  MOS管2N7002的极限值(如无特殊要求，T_A=25℃)：

  • 漏极-源极电压 V_DS：60V

  • 漏极电流-连续 I_D：115mA

  • 功耗 P_D：225mW

  • 结温 T_J：150℃

  • 存储温度 T_stg：-55~150℃
    

  
  

  
  

  MOS管2N7002的电特性(如无特殊要求，T_A=25℃)：

  参数	符号	最小值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	V(BR)DSS	60		V
  栅极开启电压	Vth(GS)	1	2.5
  栅极漏电流	IGSS		±80	nA
  零栅压漏极电流	IDSS		80
  静态漏源导通电阻	RDS(ON)	1	7.5	Ω
  输入电容	Ciss		50	pF
  输出电容	Coss		25
  反向传输电容	Crss		5

  
  

  
  

  MOS管2N7002的参数特性曲线：

  

  
  

  
  

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