MOS管06N03V 杰力场效应管 EMB06N03V EDFN 3X3

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-08-31 10:24:45点击：6次

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  MOS管06N03V 杰力场效应管 EMB06N03V EDFN 3X3

  
  

  
  

  杰力场效应管 EMB06N03V的引脚图：

  

  
  

  
  

  杰力场效应管 EMB06N03V的极限值(如无特殊要求，T_C=25℃)：

  • 漏极-源极电压 BV_DSS：30V

  • 栅极-源极电压 V_GS：±20V

  • 漏极电流-连续(T_C=25℃) I_D：26A

  • 漏极电流-连续(T_C=100℃) I_D：18.5A

  • 漏极电流-脉冲 I_DM：104A

  • 雪崩电流 I_AS：14A

  • 雪崩能量 E_AS：9.8mJ

  • 重复雪崩能量 E_AR：4.9mJ

  • 功耗(T_C=25℃) P_D：25W

  • 功耗(T_C=100℃) P_D：8W

  • 功耗(T_A=25℃) P_D：2.5W

  • 功耗(T_A=100℃) P_D：1W

  • 工作结温和存储温度 T_j,T_stg：-55~150℃

  
  

  
  

  杰力场效应管 EMB06N03V的电特性(如无特殊要求，T_C=25℃)：

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	V(BR)DSS	30			V
  栅极开启电压	VGS(th)	1	1.5	3
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V	IDSS			1	μA
  零栅压漏极电流 VDS=20V,VGS=0V,Tj=125℃				25
  静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=14A	RDS(ON)		5	6	mΩ
  静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=10A			7.5	9.5
  正向跨导	gfs		25		S
  输入电容	Ciss		1983		pF
  输出电容	Coss		328
  反向传输电容	Crss		287
  栅源电荷密度	Qgs		4.8		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		9.7
  开启延迟时间	td(on)		9		nS
  开启上升时间	tr		20
  关断延迟时间	td(off)		25
  开启下降时间	tf		3

  
  

  
  

  杰力场效应管 EMB06N03V的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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