BTB12技术参数 双向可控硅 BTB12

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-08-26 10:30:59点击：6次

• 
  

  BTB12技术参数 双向可控硅 BTB12

  
  

  
  

  双向可控硅 BTB12的特点：

  • NPNPN 五层结构的硅双向器件

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 工作结温高，换向能力强

  • 高电压变化率 dV/dt

  • 大电流变化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：TO-220B、TO-263
    

  
  

  
  

  双向可控硅 BTB12的应用：

          BTB12双向可控硅应用于：加热控制器、调速控制器、洗衣机、搅拌机、咖啡壶、电动工具、吸尘器等家用电器。

  
  

  
  

  双向可控硅 BTB12的引脚图：

     

  
  

  
  

  双向可控硅 BTB12的极限值(T_CASE=25℃)：

  • 断态重复峰值电压 V_DRM/V_RRM --------------------------------------  600/800V

  • 通态均方根电流 I_T(RMS) -----------------------------------------------  12A

  • 通态不重复浪涌电流 I_TSM --------------------------------------------  120A

  • 通态电流临界上升率 dI_T/dt -------------------------------------------  50A/μs

  • 门极峰值电流 I_GM -----------------------------------------------------  4A

  • 门极平均功率 P_G(AV) --------------------------------------------------  1W

  • 存储温度 T_STG ---------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作结温 T_j ------------------------------------------------------------  -40~+125℃
    

  
  

  
  

  双向可控硅 BTB12的电特性：

  1、三象限参数：
  

  符号	参数	数值			单位
  		TW	SW	CW
  IGT	门极触发电流	≤5	≤10	≤35	mA
  VGT	门极触发电压	≤1.3			V
  VGD	门极不触发电压	≥0.2
  IH	维持电流	≤10	≤15	≤35	mA
  IL	擎住电流 I-III	≤10	≤25	≤50
  	擎住电流 II	≤15	≤30	≤60
  dVD/dt	断态电压临界上升率	≥20	≥40	≥500	V/μs
  VTM	通态压降	≤1.55			V

  
  

  
  

  2、四象限参数：

  符号	参数	数值			单位
  		S	C	B
  IGT	门极触发电流 I-II-III	≤10	≤25	≤50	mA
  	门极触发电流 IV	≤25	≤50	≤100
  VGT	门极触发电压	≤1.3			V
  VGD	门极不触发电压	≥0.2
  IH	维持电流	≤25	≤30	≤50	mA
  IL	擎住电流 I-III-IV	≤30	≤40	≤50
  	擎住电流 II	≤40	≤60	≤80
  dVD/dt	断态电压临界上升率	≥100	≥200	≥500	V/μs
  VTM	通态压降	≤1.55			V

  
  

  
  

  ---

  声明：本网站原创内容，如需转载，请注明出处；本网站转载的内容（文章、图片、视频）等资料版权归原网站所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片，未能及时和您确认，避免给双方造成不必要的经济损失，请电邮联系我们，以便迅速采取适当处理措施；邮箱：limeijun@yushin88.com