BTA16可控硅参数 国产可控硅 BTA16

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-08-22 11:00:03点击：6次

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  BTA16可控硅参数 国产可控硅 BTA16

  
  

  
  

  国产可控硅 BTA16的引脚图：

     

  
  

  
  

  国产可控硅 BTA16的特点：

  • NPNPN 五层结构的硅双向器件

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 工作结温高，换向能力强

  • 高电压变化率 dV/dt

  • 大电流变化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：TO-220A、TO-220F
    

  
  

  
  

  国产可控硅 BTA16的应用领域：

          加热控制器、调速控制器、洗衣机、搅拌机、果汁机、电动工具、吸尘器等家用电器...

  
  

  
  

  国产可控硅 BTA16的极限值(T_CASE=25℃)：

  • 断态重复峰值电压 V_DRM/V_RRM -------------------------------------- 600/800V

  • 通态均方根电流 I_T(RMS) ----------------------------------------------- 16A

  • 通态不重复浪涌电流 I_TSM -------------------------------------------- 160A

  • 通态电流临界上升率 dI_T/dt ------------------------------------------- 50A/μs

  • 门极峰值电流 I_GM ----------------------------------------------------- 4A

  • 门极平均功率 P_G(AV) -------------------------------------------------- 1W

  • 存储温度 T_STG ---------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作结温 T_j ------------------------------------------------------------  -40~+125℃
    

  
  

  
  

  国产可控硅 BTA16的电特性：

  1、三象限参数：

  符号	参数	数值			单位
  		SW	CW	BW
  IGT	门极触发电流	≤10	≤35	≤50	mA
  VGT	门极触发电压	≤1.3			V
  VGD	门极不触发电压	≥0.2
  IH	维持电流	≤15	≤30	≤50	mA
  IL	擎住电流 I-III	≤25	≤50	≤70
  	擎住电流 II	≤30	≤60	≤80
  dVD/dt	断态电压临界上升率	≥40	≥500	≥1000	V/μs
  VTM	通态压降	≤1.55			V
  IDRM/IRRM	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃	≤5			μA
  	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃	≤1			mA

  
  

  
  

  2、四象限参数：

  符号	参数	数值		单位
  		C	B
  IGT	门极触发电流 I-II-III	≤25	≤50	mA
  	门极触发电流 IV	≤50	≤100
  VGT	门极触发电压	≤1.3		V
  VGD	门极不触发电压	≥0.2
  IH	维持电流	≤25	≤50	mA
  IL	擎住电流 I-III-IV	≤40	≤60
  	擎住电流 II	≤80	≤120
  dVD/dt	断态电压临界上升率	≤200	≥400	V/μs
  VTM	通态压降	≤1.55		V
  IDRM/IRRM	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃	≤5		μA
  	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃	≤1		mA

  
  

  
  

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