单向可控硅C106 4A国产可控硅 C106

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-08-21 16:06:46点击：6次

• 
  

  单向可控硅C106 4A国产可控硅 C106

  
  

  
  

  4A国产可控硅 C106的应用领域：

          脉冲点火器、负离子发生器、逻辑电路驱动、直发器、调光开关、咖啡壶、LED 控制器...

  
  

  
  

  4A国产可控硅 C106的特点：
  

  • PNPN 四层结构的硅单向器件

  • 门极灵敏触发

  • P 型对通扩散隔离

  • 背面多层金属电极

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：TO-126
    

  
  

  
  

  4A国产可控硅 C106的引脚图：

  

  
  

  
  

  4A国产可控硅 C106的极限值(T_CASE=25℃)：

  • 断态重复峰值电压 V_DRM/V_RRM --------------------------------------------- 600/800V

  • 通态平均电流 I_T(AV) ---------------------------------------------------------- 2.55A

  • 通态均方根电流 I_T(RMS) ------------------------------------------------------ 4A

  • 通态不重复浪涌电流 I_TSM ---------------------------------------------------- 20A

  • 通态电流临界上升率 dI_T/dt --------------------------------------------------- 50A/μs

  • 门极峰值电流 I_GM ------------------------------------------------------------- 0.5A

  • 门极峰值功率 P_GM ------------------------------------------------------------ 0.1W

  • 门极平均功率 P_G(AV) ---------------------------------------------------------- 0.2W

  • 存储温度 T_STG -----------------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作结温 T_j --------------------------------------------------------------------  -40~+110℃
    

  
  

  
  

  4A国产可控硅 C106的电特性：

  符号	参数	最小值	典型值	最大值	单位
  IGT	门极触发电流	10		200	μA
  VGT	门极触发电压		0.65	0.8	V
  VGD	门极不触发电压	0.2
  IH	维持电流			3	mA
  IL	擎住电流			5
  dVD/dt	断态电压临界上升率	10			V/μs
  VTM	通态压降			1.55	V

  
  

  
  

  4A国产可控硅 C106的热阻：

  符号	参数	数值	单位
  Rth(j-c)	结到管壳的热阻(AC)	7.2	℃/W
  Rth(j-a)	结到环境的热阻	100

  
  

  
  

  4A国产可控硅 C106的参数特性曲线：

  

  
  

  
  

  ---

  声明：本网站原创内容，如需转载，请注明出处；本网站转载的内容（文章、图片、视频）等资料版权归原网站所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片，未能及时和您确认，避免给双方造成不必要的经济损失，请电邮联系我们，以便迅速采取适当处理措施；邮箱：limeijun@yushin88.com