T835 TO-252 可控硅的引脚图 T835 贴片可控硅

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-07-20 14:20:02点击：6次

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  T835 TO-252 可控硅的引脚图 T835 贴片可控硅

  
  

  
  

  贴片可控硅 T835的应用领域：

          T835可控硅应用于：加热控制器、马达调速控制器、麻将机、搅拌机、直发器、面包机等家用电器。

  
  

  
  

  贴片可控硅 T835的特点：

  • NPNPN 五层结构的硅双向器件

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 工作结温高，换向能力强

  • 高电压变化率 dV/dt

  • 大电流变化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：TO-252
    

  
  

  
  

  贴片可控硅 T835的引脚图：

  

  
  

  
  

  贴片可控硅 T835的极限值(T_CASE=25℃)：

  • 断态重复峰值电压 V_DRM/V_RRM ------------------------------------ 600/800V

  • 通态均方根电流 I_T(RMS) --------------------------------------------- 8A

  • 通态不重复浪涌电流 I_TSM ------------------------------------------ 80A

  • 通态电流临界上升率 dI_T/dt ----------------------------------------- 50A/μs

  • 门极峰值电流 I_GM --------------------------------------------------- 4A

  • 门极平均功率 P_G(AV) ------------------------------------------------ 1W

  • 存储温度 T_STG ------------------------------------------------------- -40~+150℃

  • 工作结温 T_j ----------------------------------------------------------- -40~+125℃
    

  
  

  
  

  贴片可控硅 T835的电特性：

  符号	参数	数值	单位
  IGT	门极触发电流	≤35	mA
  VGT	门极触发电压	≤1.3	V
  VGD	门极不触发电压	≥0.2
  IH	维持电流	≤35	mA
  IL	擎住电流 I-III	≤50
  	擎住电流 II	≤60
  dVD/dt	断态电压临界上升率	≥400	V/μs
  VTM	通态压降	≤1.55	V
  IDRM/IRRM	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃	≤5	μA
  	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃	≤1	mA

  
  

  
  

  贴片可控硅 T835的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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