可控硅 BT136 TO-220C 插件双向可控硅

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-07-15 10:56:13点击：6次

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  可控硅 BT136 TO-220C 插件双向可控硅

  
  

  
  

  插件双向可控硅 BT136的引脚图：

  

  
  

  
  

  插件双向可控硅 BT136的应用领域：

          BT136可控硅应用于：加热控制器、马达调速控制器、麻将机、搅拌机、直发器、面包机等家用电器等。

  
  

  
  

  插件双向可控硅 BT136的极限参数(T_CASE=25℃)：

  符号	参数	数值	单位
  VDRM/VRRM	断态重复峰值电压	600/800	V
  IT(RMS)	通态均方根电流	4	A
  ITSM	通态不重复浪涌电流	25
  I2t	I2t 值	3.1	A2s
  dIT/dt	通态电流临界上升率 I-II-III	50	A/μs
  	通态电流临界上升率 IV	10
  IGM	门极峰值电流	2	A
  PGM	门极峰值功率	5	W
  PG(AV)	门极平均功率	0.5
  TSTG	存储温度	-40~+150	℃
  Tj	工作结温	-40~+125

  
  

  
  

  插件双向可控硅 BT136的电特性：

  1、三象限参数：

  符号	参数	数值		单位
  		SW	CW
  IGT	门极触发电流	≤10	≤25	mA
  VGT	门极触发电压	≤1.3		V
  VGD	门极不触发电压	≥0.2
  IH	维持电流	≤15	≤25	mA
  IL	擎住电流 I-III	≤15	≤25
  	擎住电流 II	≤20	≤30
  dVD/dt	断态电压临界上升率	≥40	≥80	V/μs
  VTM	通态压降	≤1.55		V

  
  

  
  

  2、四象限参数：

  符号	参数	数值		单位
  		D	E
  IGT	门极触发电流 I-II-III	≤5	≤10	mA
  	门极触发电流 IV	≤10	≤25
  VGT	门极触发电压	≤1.3		V
  VGD	门极不触发电压	≥0.2
  IH	维持电流	≤10	≤15	mA
  IL	擎住电流 I-III-IV	≤10	≤15	mA
  	擎住电流 II	≤15	≤20
  dVD/dt	断态电压临界上升率	≥10	≥20	V/μs
  VTM	通态压降	≤1.55		V

  
  

  
  

  插件双向可控硅 BT136的参数特性曲线：

  

  
  

  
  

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