国产单向可控硅 TYN816 TO-220B 16A大芯片可控硅
国产单向可控硅 TYN816的引脚图:
国产单向可控硅 TYN816的应用领域:
TYN816可控硅应用于:摩托车调压器、LED 灯控制器、交直流电源变换、交流电开关、直发器等等。
国产单向可控硅 TYN816的特点:
PNPN 四层结构的硅单向器件
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
符合 RoHS 规范
封装形式:TO-220B
国产单向可控硅 TYN816的极限参数(TCASE=25℃):
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
IT(AV) | 通态平均电流 | 10 | A |
IT(RMS) | 通态均方根电流 | 16 | |
ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 190 | |
I2t | I2t 值 | 180 | A2s |
dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 50 | A/μs |
IGM | 门极峰值电流 | 4 | A |
PG(AV) | 门极平均功率 | 1 | W |
TSTG | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
Tj | 工作结温 | -40~+125 |
国产单向可控硅 TYN816的电特性:
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
IGT | 门极触发电流 | 2~25 | mA |
VGT | 门极触发电压 | 1 | V |
VGD | 门极不触发电压 | 0.2 | |
IH | 维持电流 | 40 | mA |
IL | 擎住电流 | 60 | |
dVD/dt | 断态电压临界上升率 | 200 | V/μs |
VTM | 通态压降 | 1.6 | V |
IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃ | 5 | μA |
断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃ | 1 | mA |
国产单向可控硅 TYN816的参数特性曲线:
国产单向可控硅 TYN816的封装外形尺寸:
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