贴片MOS EMB20P03G SOP-8 P沟道场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-05-29 11:02:02点击：6次

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  贴片MOS EMB20P03G SOP-8 P沟道场效应管

  
  

  
  

  贴片MOS EMB20P03G的极限值：

  除非另有说明，T_A=25℃

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	-30	V
  栅极-源极电压	VGS	±25
  漏极电流-连续 TC=25℃	ID	-10	A
  漏极电流-连续 TC=100℃		-8
  漏极电流-脉冲	IDM	-40
  雪崩电流	IAS	-15
  雪崩能量	EAS	5	mJ
  重复雪崩能量	EAR	2.5
  功耗 TA=25℃	PD	2.5	W
  功耗 TA=100℃		1
  工作结温和存储温度	Tj,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  贴片MOS EMB20P03G的引脚图：

  

  
  

  
  

  贴片MOS EMB20P03G的电特性：

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	V(BR)DSS	-30			V
  栅极-源极电压	VGS(th)	-1	-2	-3
  栅极漏电流 VDS=0V,VGS=±20V	IGSS			±100	nA
  栅极漏电流 VDS=0V,VGS=±25V				±500
  零栅压漏极电流 VDS=-24V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零栅压漏极电流 VDS=-20V,VGS=0V,Tj=125℃				-10
  静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-10A	RDS(ON)		17.5	20	mΩ
  静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-7A			26	35
  正向跨导	gfs		24		S
  输入电容	Ciss		1407		pF
  输出电容	Coss		208
  反向传输电容	Crss		164
  栅源电荷密度	Qgs		3.2		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		4.9
  开启延迟时间	td(on)		10		nS
  开启上升时间	tr		8
  关断延迟时间	td(off)		25
  开启下降时间	tf		6

  
  

  
  

  贴片MOS EMB20P03G的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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