场效应管9205 N沟道MOS管 9205

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-05-28 15:42:53点击：6次

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  场效应管9205 N沟道MOS管 9205

  
  

  
  

  N沟道MOS管 9205的描述：

          9205是一个20V/6A的N沟道增强型场效应管，具有1W低功耗、低导通电阻且的容易制造的特点。

  
  

  
  

  N沟道MOS管 9205的特点：

  • R_DS(ON)≤38mΩV_GS=4.5V

  • 低反向传输电容（CRSS=typical 150pF）

  • 快速切换功能

  • 改良的dv/dt能力，高强度
    

  
  

  
  

  N沟道MOS管 9205的管脚排列：

  

  
  

  
  

  N沟道MOS管 9205的极限值：

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	20	V
  栅极-源极电压	VGS	±12
  漏极电流-连续	ID	6	A
  漏极电流-脉冲	IDM	20
  功耗	PD	1	W
  热阻	θJA	125	℃/W
  结温	TJ	150	℃
  存储温度	Tstg	-55~+150

  
  

  
  

  N沟道MOS管 9205的电特性：

  除非有特殊要求，T_J=25℃
  

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	BVDSS	20			V
  栅极开启电压	VGS(TH)	0.5		1.5
  零栅压漏极电流(VGS=0V,VDS=20V)	IDSS			1	uA
  栅极漏极电流	IGSS			±100	nA
  静态漏源导通电阻(ID=6A,VGS=4.5V)	RDS(ON)			38	mΩ
  静态漏源导通电阻(ID=5.2A,VGS=2.5V)				48
  输入电容	Ciss		1035		pF
  共源输出电容	Coss		320
  反向传输电容	Crss		150
  开启延迟时间	tD(on)		30		ns
  开启上升时间	TR		70
  关断延迟时间	tD(off)		40
  关断上升时间	TF		65
  栅源电荷密度	Qgs		4.5		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		7
  内附二极管正向压降	VSD			1.2	V

  
  

  
  

  N沟道MOS管 9205的典型应用图：

  

  
  

  
  

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