单向可控硅2P4M引脚图 2A可控硅2P4M

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-05-19 15:27:01点击：6次

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  单向可控硅2P4M引脚图 2A可控硅2P4M

  
  

  
  

  2A可控硅 2P4M的引脚图：

  

  
  

  
  

  2A可控硅 2P4M的应用：

         摩托车点火器、汽油机点火器、LED 灯控制器、彩灯控制器、咖啡壶、直发器
  

  
  

  
  

  2A可控硅 2P4M的特点：

  • PNPN 四层结构的硅单向器件

  • 门极灵敏触发

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：SOT-223-3L
    

  
  

  
  

  2A可控硅 2P4M的极限值：

  • 断态重复峰值电压 V_DRM/V_RRM：600/800V

  • 通态平均电流 I_T(AV)：2A

  • 通态均方根电流 I_T(RMS)：3A

  • 通态不重复浪涌电流 I_TSM：20A

  • 通态电流临界上升率 dI_T/dt：50A/μs

  • 门极峰值电流 I_GM：0.2A

  • 门极峰值功率 P_GM：0.5W

  • 门极平均功率 P_G(AV)：0.1W

  • 存储温度 T_STG：-40~+150℃

  • 工作结温 T_j：-40~+110℃
    

  
  

  
  

  2A可控硅 2P4M的电特性：

  符号	参数	最小值	典型值	最大值	单位
  IGT	门极触发电流	10		200	μA
  VGT	门极触发电压			0.8	V
  VGD	门极不触发电压	0.2
  IH	维持电流		1	3	mA
  IL	擎住电流			4
  dVD/dt	断态电压临界上升率	10			V/μs
  VTM	通态压降			1.55	V
  IDRM/IRRM	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃			5	μA
  	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=110℃			100

  
  

  
  

  2A可控硅 2P4M的热阻：

  符号	参数	数值	单位
  Rth(j-c)	结到管壳的热阻(AC)	20	℃/W
  Rth(j-a)	结到环境的热阻	60

  
  

  
  

  2A可控硅 2P4M的参数特性曲线：

  

  
  

  
  

  2A可控硅 2P4M的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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