1096 100V场效应管 GM1096 SOT-23 N沟道MOS管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-05-15 16:06:53点击：6次

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  1096 100V场效应管 GM1096 SOT-23 N沟道MOS管

  
  

  
  

  N沟道MOS管 GM1096的特点：

  • 低导通电阻和最大直流电流能力

  • 超高元胞密度设计

  • R_DS(ON)TYP96mΩVGS=10V

  • R_DS(ON)TYP105mΩVGS=4.5V

  • 封装形式：SOT-23
    

  
  

  
  

  N沟道MOS管 GM1096的应用：

  • 笔记本电源管理

  • 便携式设备

  • 电池电源系统

  • DC/DC 变换

  • 负载开关应用
    

  
  

  
  

  N沟道MOS管 GM1096的引脚图：

  

  
  

  
  

  N沟道MOS管 GM1096的极限值：

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	100	V
  栅极-源极电压	VGS	±20
  漏极电流-连续 TC=25℃	ID	2.8	A
  漏极电流-脉冲	IDM	15
  总耗散功率 TC=25℃	PTOT	1.25	W
  热阻	RθJA	100	℃/W
  结温/储存温度	TJ,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  N沟道MOS管 GM1096的电特性：

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	BVDSS	100			V
  栅极开启电压	VGS(th)	1.2	1.8	2.5
  零栅压漏极电流	IDSS			1	uA
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  静态漏源导通电阻 ID=2.8A,VGS=10V	RDS(ON)		96	130	mΩ
  静态漏源导通电阻 ID=1A,VGS=4.5V			105	180
  源极-漏极电流	ISD			1.25	A
  内附二极管正向压降	VSD			1.3	V
  输入电容	CISS		690		pF
  输出电容	COSS		120
  栅源电荷密度	Qgs		3.2		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		4.7
  开启延迟时间	td(on)		11		ns
  开启上升时间	tr		8
  关断延迟时间	td(off)		35
  开启下降时间	tf		9

  
  

  
  

  N沟道MOS管 GM1096的典型特性曲线：

  

  
  

  
  

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