P沟道MOSFET EMF09P02V 贴片场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-04-16 16:56:04点击：6次

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  P沟道MOSFET EMF09P02V 贴片场效应管

  
  

  
  

  一、EMF09P02V的脚位图：

  

  
  

  
  

  二、EMF09P02V的极限值(除非另有说明，T_A=25℃)：

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	-20	V
  栅极-源极电压	VGS	±8
  漏极电流-连续 TA=25℃	ID	-20	A
  漏极电流-连续 TA=70℃		-15
  漏极电流-脉冲	IDM	-80
  雪崩电流	IAS	-15
  雪崩能量	EAS	11.25	mJ
  功耗 TA=25℃	PD	2.5	W
  功耗 TA=70℃		1.25
  结温和存储温度	Tj,Tstg	-55~+150	℃

  
  

  
  

  三、EMF09P02V的电特性：

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	V(BR)DSS	-20			V
  栅极开启电压	VGS(th)	-0.4	-0.75	-1.2
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  零栅压漏极电流 VDS=-16V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零栅压漏极电流 VDS=-12V,VGS=0V,Tj=125℃				-10
  静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-15A	RDS(ON)		7.8	9.5	mΩ
  静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=-8A			10.3	12.5
  静态漏源导通电阻 VGS=-1.8V,ID=-5A			14.5	18
  正向跨导	gfs		32		S
  输入电容	Ciss		7660		pF
  输出电容	Coss		596
  反向传输电容	Crss		510
  栅源电荷密度	Qgs		4.9		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		13

  
  

  
  

  四、EMF09P02V的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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