T410 4A三象限双向可控硅引脚排列
一、T410的脚位图:
二、T410的特点:
NPNPN 五层结构的硅双向器件
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
工作结温高,换向能力强
高电压变化率 dV/dt
大电流变化率 dI/dt
符合 RoHS 规范
封装形式:TO-220B、TO-220F、TO-252
三、T410的应用:
加热控制器、马达调速控制器、麻将机、搅拌机、直发器、面包机等家用电器
四、T410的极限值:
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
IT(RMS) | 通态均方根电流 | 4 | A |
ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 30 | |
I2t | I2t 值 | 5.1 | A2s |
dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 50 | A/μs |
IGM | 门极峰值电流 | 4 | A |
PGM | 门极峰值功率 | 4 | W |
PG(AV) | 门极平均功率 | 1 | |
TSTG | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
Tj | 工作结温 | -40~+125 |
五、T410的电特性:
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
IGT | 门极触发电流 | ≤10 | mA |
VGT | 门极触发电压 | ≤1.3 | V |
VGD | 门极不触发电压 | ≥0.2 | |
IH | 维持电流 | ≤15 | mA |
IL | 擎住电流 I-III | ≤25 | |
擎住电流 II | ≤30 | ||
dVD/dt | 断态电压临界上升率 | ≥40 | V/μs |
VTM | 通态压降 | ≤1.55 | V |
六、T410的型号、标识说明:
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