BTA10—10A双向可控硅的耐压多大？

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-03-13 14:33:02点击：6次

• 
  

  BTA10—10A双向可控硅的耐压多大？

  
  

  
  

  一、BTA10的引脚排列：

  

  
  

  
  

  二、BTA10的极限值：

  • 断态重复峰值电压(V_DRM/V_RRM)  ------------------------------------------ 600/800V

  • 通态均方根电流(I_T(RMS))  --------------------------------------------------- 10A

  • 通态电流临界上升率(dI_T/dt)  ------------------------------------------------- 50A/μs

  • 门极峰值电流(I_GM)  ----------------------------------------------------------- 4A

  • 门极平均功率(P_G(AV))  ------------------------------------------------------- 1W

  • 存储温度(T_STG)  --------------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作结温(T_J)  ------------------------------------------------------------------  -40~+125℃
    

  
  

  
  

  三、BTA10的电特性：

  1、三象限：

  符号	参数	数值		电位
  		CW	BW
  IGT	门极触发电流	35	50	mA
  VGT	门极触发电压	1.3		V
  VGD	门极不触发电压	0.2		V
  IH	维持电流	35	50	mA
  IL	擎住电流 I-III	50	70	mA
  	擎住电流 II	60	80	mA
  dV/dt	断态电压临界上升率	500	1000	V/μs
  dI/dt	通态电流临界上升率	5.5	9	A/ms
  VTM	通态压降	1.55		V

  
  

  
  

  2、四象限：

  符号	参数	数值		电位
  		C	B
  IGT	门极触发电流 I-II-III	25	50	mA
  	门极触发电流 IV	50	100
  VGT	门极触发电压	1.3		V
  VGD	门极不触发电压	0.2		V
  IH	维持电流	25	50	mA
  IL	擎住电流 I-III-IV	40	50	mA
  	擎住电流 II	80	100
  dV/dt	断态电压临界上升率	200	400	V/μs
  dI/dt	通态电流临界上升率	5	10	A/ms
  VTM	通态压降	1.55		V

  
  

  
  

  四、BTA10的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

  
  

  ---

  声明：本网站原创内容，如需转载，请注明出处；本网站转载的内容（文章、图片、视频）等资料版权归原网站所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片，未能及时和您确认，避免给双方造成不必要的经济损失，请电邮联系我们，以便迅速采取适当处理措施；邮箱：limeijun@yushin88.com