双向可控硅的基本概念
“双向可控硅”： 是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。
一、双向可控硅的产品分类
可控硅有多种分类方法。
（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。
（二）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。
（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。
（四）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。
（五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。
二、双向可控硅的常用封装
常用的封装有：TO-220A、TO-220B、TO-220C、TO-220F、TO-252、TO-3P、TO-263、TO-92、SOT-89-3L、SOT-23-3L、SOT-223-3L、TO-126、TO-126P 等等…
三、双向可控硅的导通和关断条件
| 状态 | 条件 | 说明 |
| 从关断到导通 | 1、主端子T1和主端子T2之间电位差 2、控制极有足够的触发电压和电流 | 两者缺一不可 |
| 维持导通 | 1、主端子T1和主端子T2之间电位差 2、通态电流大于维持电流 | 两者缺一不可 |
| 从导通到关断 | 通态电流小于维持电流 | 必备条件 |
四、双向可控硅的触发模式
电路的触发模式
三端双向可控硅开关可通过施加正的或负的栅极信号打开。三端双向可控硅开关在施加正向或反向电压时均可通过栅极信号打开。三端双向可控硅开关可按下面四种模式用栅极信号触发。
五、双向可控硅的保护措施
晶闸管元件的主要弱点是承受过电流和过电压的能力很差，即使短时间的过流和过电压，也可能导致晶闸管的损坏，所以必须对它采用适当的保护措施。
1. 过电流保护
晶闸管出现过电流的主要原因是过载、短路和误触发。过电流保护有以下几种：
快速容断器 快速容断器中的溶丝是银质的，只要选用适当，在同样的过电流倍数下，它可以在晶闸管损坏前先溶断，从而保护了晶闸管。
过电流继电器 当电流超过过电流继电器的整定值时，过电流继电器就会动作，切断保护电路。但由于继电器动作到切断电路需要一定时间，所以只能用作晶闸管的过载保护。
过载截止保护 利用过电流的信号将晶闸管的触发信号后移，或使晶闸管得导通角减小，或干脆停止触发保护晶闸管。
2. 过电压保护
过电压可能导致晶闸管的击穿，其主要原因是由于电路中电感元件的通断、熔断器熔断或晶闸管在导通与截止间的转换。对过压保护可采用两种措施
阻容保护 阻容保护是电阻和电容串联后，接在晶闸管电路中的一种过电压保护方式，其实质是利用电容器两端电压不能突变和电容器的电场储能以及电阻使耗能元件的特性，把过电压的能量变成电场能量储存在电场中，并利用电阻把这部分能量消耗掉。
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