贴片MOS管 GM6385 SOT-23 P沟道场效应管
贴片MOS管 GM6385的引脚图:
贴片MOS管 GM6385的极限值:
参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
漏极-源极电压 | BVDSS | -60 | V |
栅极-漏极电压 | VGS | ±20 | |
漏极电流-连续 | ID | -3.5 | A |
漏极电流-脉冲 | IDM | -10 | |
总耗散功率(TA=25℃) | PD | 1400 | mW |
结温 | TJ | 150 | ℃ |
存储温度 | Tstg | -55~+150 |
贴片MOS管 GM6385的电特性:
如无特殊说明,TA=25℃
参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
漏极-源极击穿电压 | BVDSS | -55 | -60 | V | |
栅极开启电压 | VGS(th) | -1 | -3 | ||
内附二极管正向压降 | VSD | -1.2 | |||
零栅压漏极电流 | IDSS | -1 | uA | ||
栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
静态漏源导通电阻 (ID=-3A,VGS=-10V) | RDS(ON) | 70 | 85 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 (ID=-2A,VGS=-4.5V) | 80 | 120 | |||
输入电容 | CISS | 960 | pF | ||
输出电容 | COSS | 100 | |||
反向传输电容 | CRSS | 33 | |||
总栅极电荷密度 | Qg | 23 | nC | ||
栅源电荷密度 | Qgs | 5 | |||
栅漏电荷密度 | Qgd | 6 | |||
开启延迟时间 | td(on) | 38 | ns | ||
开启上升时间 | tr | 18 | |||
关断延迟时间 | td(off) | 51 | |||
开启下降时间 | tf | 6 |
贴片MOS管 GM6385的典型特性曲线: