代理大功率60V P沟道场效应晶体管 GM2309 SOT-23
GM2309的极限值:
漏极-源极电压:-60V
栅极-源极电压:±20V
漏极电流-连续:-1.6A
漏极电流-脉冲:-6A
总耗散功率:1000mW
结温和存储温度范围:150,-55~+150℃
GM2309的电特性:
200VNMOS管 75N20 TO-220F
国产中低压MOS管 40P15 TO-252
150P04 TO-252 低压40VPMOS管
贴片小封装PMOS管 8P04 SOT89-3L
30VPMOS管 35P03 PDFN3X3-8L
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