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30VP沟道场效应管 GM2303 SOT-23
30VP沟道场效应管 GM2303 SOT-23
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:GM2303
产品封装:SOT-23
产品标题:GM2303 SOT-23 -30V P沟道增强型 MOS场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


GM2303 SOT-23 -30V P沟道增强型 MOS场效应管



GM2303的极限值:

  • 漏极-源极电压:-30V

  • 栅极-源极电压:±20V

  • 漏极电流-连续:-1.9A

  • 漏极电流-脉冲:-10A

  • 总耗散功率:1000mW

  • 结温:150℃

  • 存储温度:-55~+150℃





GM2303的电特性:

特性参数符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSS-30

V
栅极开启电压VGS(th)-1
-3
内附二极管正向压降
VSD

-1.2
零栅压漏极电流
IDSS

-1uA
栅极漏电流IGSS

±100nA

静态导通导通电阻

ID=-1.9A,VGS=-10V

RDS(ON)


190

静态导通导通电阻

ID=-1.4A,VGS=-4.5V



330
输入电容Ciss

155
pF
输出电容Coss
35
开启时间t(on)
4
ns
关断时间t(off)
11



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