美国福斯特高压MOS管 FIR4N65FG-D TO-220F N沟道MOSFET
FIR4N65FG-D的极限值：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| VDSS | 漏极-源极电压 | 650 | V | |
| ID | 漏极电流-连续 | Tj=25℃ | 4 | A |
| Tj=100℃ | 2.5 | |||
| VGS [±V] | 栅极-源极电压 | ±30 | V | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 128 | mJ | |
| IAR | 雪崩电流 | 4 | A | |
| PD | 功耗 | 36 | W | |
| Tj | 最大工作结温 | 150 | ℃ | |
| Tstg | 存储温度 | -55~+150 | ||
| TL | 最大焊接温度 | 300 | ||
FIR4N65FG-D的热阻：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 3.47 | ℃/W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 120 |
FIR4N65FG-D的电特性：
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | ID=250μA,VGS=0 | 650 | V | ||
| IDSS | 零栅压漏极电流 | VDS=650V,VGS=0V | 10 | μA | ||
| VDS=520V,Tj=125℃ | 100 | |||||
| VGS(TH) | 栅极开启电压 | ID=250μA,VDS=VGS | 2 | 4 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 | ID=2A,VGS=10V | 2.5 | Ω | ||
| Ciss | 输入电容 | VDS=25V,VGS=0,f=1.0MHz | 620 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 70 | ||||
| Crss | 反向传输电容 | 8 | ||||
| td(on) | 开启延迟时间 | VDD=300V,ID=4A RG=25Ω | 13 | 35 | ns | |
| tr | 开启上升时间 | 45 | 100 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 25 | 60 | |||
| tf | 开启下降时间 | 35 | 80 | |||
| Qgs | 栅源电荷密度 | VDS=520V,VGS=10V,ID=4A | 2.9 | nC | ||
| Qgd | 栅漏电和密度 | 4.9 |
FIR4N65FG-D的封装外形尺寸：
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