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高压功率MOS管 FIR2N90FG-T TO-220F
高压功率MOS管 FIR2N90FG-T TO-220F
产品品牌:美国福斯特
产品类型:高压功率MOS管
产品型号:FIR2N90FG-T
产品封装:TO-220F
产品标题:场效应管价格型号 FIR2N90FG-T 900V高压N沟道MOS管 TO-220F
咨询热线:0769-89027776

产品详情


场效应管价格型号 FIR2N90FG-T 900V高压N沟道MOS管 TO-220F



FIR2N90FG-T的极限值:

符号参数数值单位
VDSS漏极-源极电压900V
ID漏极电流-连续Tj=25℃2.0A
Tj=100℃1.25
VGS [±V]栅极-源极电压±30V
EAS单脉冲雪崩能量180mJ
IAR雪崩电流2.0A
PD功耗(Tj=25℃)25W
Tj最大工作结温150
Tstg存储温度-55~+150
TL最大焊接温度300




FIR2N90FG-T的热阻:

符号参数数值单位
RθJC结到管壳的热阻5℃/W
RθJA结到环境的热阻120




FIR2N90FG-T的电特性:

符号参数
测试条件最小值典型值最大值单位
BVDSS
漏极-源极击穿电压ID=250μA,VGS=0900

V
IDSS
零栅压漏极电流VDS=900V,VGS=0V

10μA
VDS=900V,Tj=125℃

100
VGS(TH)
栅极开启电压ID=250μA,VDS=VGS3
5V
RDS(ON)静态漏源导通电阻ID=1A,VGS=10V


7.2Ω
Ciss输入电容VDS=25V,VGS=0,f=1.0MHz

720
pF
Coss输出电容
45
Crss反向传输电容
5.0
td(on)开启延迟时间VDD=450V,ID=2A RG=25Ω

1540ns
tr开启上升时间
3580
td(off)关断延迟时间
2050
tf开启下降时间
3070
Qgs栅源电荷密度VDS=720V,VGS=10V,ID=2A

2.8
nC
Qgd
栅漏电和密度
6.1



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