FIR2N65ABPG-M TO-251 N沟道功率MOSFET 650V/2A场效应管
FIR2N65ABPG-M的极限值：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDSS | 漏极-源极电压 | 650 | V |
| ID | 漏极电流-连续 | 2.0 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | 1.2 | ||
| IDMa1 | 漏极电流-脉冲 | 8.0 | A |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±30 | V |
| EASa2 | 单脉冲雪崩能量 | 84 | mJ |
| EARa1 | 重复雪崩能量 | 6.4 | |
| IARa1 | 雪崩电流 | 3.6 | A |
| PD | 功耗 | 54 | W |
| TJ,Tstg | 工作结温和存储温度范围 | 150,-55~+150 | ℃ |
| TL | 最大焊接温度 | 300 | ℃ |
FIR2N65ABPG-M的电特性：
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| VDSS | 漏极-源极击穿电压 | VGS=0V,ID=250μA | 650 | V | ||
| IDSS | 零栅压漏极电流 | VDS=650V,VGS=0V,Ta=25℃ | 25 | μA | ||
| VDS=480V,VGS=0V,Ta=125℃ | 250 | |||||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 | VGS=10V,ID=1.0A | 4.2 | 5.0 | Ω | |
| VGS(TH) | 栅极开启电压 | VDS=VGS,ID=250μA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| gfs | 正向跨导 | VDS=15V,ID=1.0A | 2.0 | S | ||
| Ciss | 输入电容 | VGS=0V,VDS=25V,f=1.0MHz | 280 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 30 | ||||
| Crss | 反向传输电容 | 3.8 | ||||
| td(on) | 开启延迟时间 | ID=2.0A,VDD=300V,VGS=10V,RG=18Ω | 7.8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 5.5 | ||||
| td(off) | 关断延迟时间 | 33 | ||||
| tf | 开启下降时间 | 16 | ||||
| Qgs | 栅源电荷密度 | ID=2.0A,VDD=480V,VGS=10V | 1.5 | nC | ||
| Qgd | 栅漏电和密度 | 4.0 |
FIR2N65ABPG-M的封装外形尺寸：
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