GMDN335N SOT-23 20V N沟道 贴片式MOS管 450mW总耗散功率
GMDN335N的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | 20 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±8 | |
| 漏极电流-连续 | ID | 2.8 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 10 | |
| 总耗散功率 | PD | 450 | mW |
| 结温 | TJ | 150 | ℃ |
| 存储温度 | Tstg | -55~+150 |
GMDN335N的电特性：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 20 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | 0.4 | 1.5 | ||
| 漏极-源极导通电压(ID=50mA,VGS=5V) | VDS(ON) | 0.375 | |||
| 漏极-源极导通电压(ID=500mA,VGS=10V) | 3.75 | ||||
| 内附二极管正向压降 | VSD | 1.2 | |||
| 零栅压漏极电流(VGS=0V,VDS=16V) | IDSS | 1 | uA | ||
| 零栅压漏极电流(VGS=0V,VDS=16V,TA=55℃) | 10 | ||||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
| 静态漏源导通电阻(ID=1.7A,VGS=4.5V) | RDS(ON) | 0.07 | Ω | ||
| 静态漏源导通电阻(ID=1.5A,VGS=2.5V) | 0.1 | ||||
| 输入电容 | Ciss | 310 | pF | ||
| 共源输出电容 | Coss | 80 | |||
| 开启时间 | t(on) | 15 | ns | ||
| 关断时间 | t(off) | 20 |
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