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20VN沟道场效应管 GM2312 SOT-23
20VN沟道场效应管 GM2312 SOT-23
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:GM2312
产品封装:SOT-23
产品标题:专业代理贴片式MOS管 GM2312 SOT-23 20V N沟道晶体管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


专业代理贴片式MOS管 GM2312 SOT-23 20V N沟道晶体管



GM2312的极限值:

  • 漏极-源极电压:20V

  • 栅极-源极电压:±8V

  • 漏极电流-连续:5A

  • 漏极电流-脉冲:18A

  • 功耗:1250mW

  • 结温:150℃

  • 存储温度:-55~+150℃



GM2312的电特性:

参数符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSS20

V
栅极开启电压VGS(th)0.45
1.2
内附二极管正向压降VSD

1.5
零栅压漏极电流(VGS=0V,VDS=16V)
IDSS

1uA
零栅压漏极电流(VGS=0V,VDS=16V,TA=55℃)

10
栅极漏电流
IGSS

±100nA
静态漏源导通电阻(ID=5A,VGS=4.5V)RDS(ON)

2325
静态漏源导通电阻(ID=2A,VGS=2.5V)
3235
静态漏源导通电阻(ID=1A,VGS=1.8V)
4550
输入电容Ciss
650
pF
输出电容Coss
120
开启时间t(on)
20
ns
关断时间t(off)
60



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