50N20 TO-220 200VN沟道MOS管 铁封插件MOSFET 国产MOS管选型
200VN沟道MOS管50N20的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 200 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 50 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 200 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 800 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 28 | A |
| PD | 总耗散功率 | 158 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 40 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 0.79 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
200VN沟道MOS管50N20的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 200 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=14A | 48 | 55 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 3 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 103 | 136 | nC | |
| Qgs | 栅源电荷密度 | 16 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 53 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2879 | 3742 | pF | |
| Coss | 输出电容 | 362 | 470 | ||
| Crss | 反向传输电容 | 81 | 105 | ||
| td(on) | 开启延迟时间 | 28 | 69 | ns | |
| tr | 开启上升时间 | 251 | 494 | ||
| td(off) | 关断延迟时间 | 309 | 617 | ||
| tf | 开启下降时间 | 220 | 412 |
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