800VN沟道MOS管 4N80 TO-252 电源应用MOSFET 场效应管替换4N80
800VN沟道MOS管 4N80的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 800 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±30 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TC=25℃) | 4 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 16 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 240 | mJ |
| PD | 总耗散功率 (TC=25℃) | 106 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.18 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
800VN沟道MOS管 4N80的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 800 | 870 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=2A | 2.5 | 2.8 | Ω | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 3 | 4 | V |
| gfs | 正向跨导 | 2.5 | S | ||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 17.4 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 4.8 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 5.4 | |||
| Ciss | 输入电容 | 700 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 58 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 5 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 16 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 14 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 40 | |||
| tf | 开启下降时间 | 12 |
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