电池保护用MOS管 20P04 SOP-8 PMOS管 低压国产P沟道MOSFET
电池保护用MOS管 20P04的主要参数：
VDS=-40V
ID=-20A
RDS(ON)＜9mΩ@VGS=-10V(Type：7.5mΩ)
电池保护用MOS管 20P04的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-40V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-20A
漏极电流-脉冲 IDM：-72A
单脉冲雪崩能量 EAS：125mJ
雪崩电流 IAS：50A
总耗散功率 PD：35W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：85℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：3.5℃/W
电池保护用MOS管 20P04的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -40 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-20A | 7.3 | 9 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-15A | 9.3 | 12 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 110 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 12.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 23 | |||
| Ciss | 输入电容 | 5295 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 430 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 385 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 16.8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 10 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 65 | |||
| tf | 开启下降时间 | 17 |
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