100VPMOS管 40P10 TO-252 P型场效应管 40A/100V 中低压MOS
100VPMOS管 40P10的应用领域:
负载开关
电池保护
UPS 不间断电源
100VPMOS管 40P10的极限值:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDS | 漏极-源极电压 | -100 | V |
VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | -40 | A |
漏极电流-连续 TC=100℃ | -29 | ||
IDM | 漏极电流-脉冲 | -120 | |
EAS | 单脉冲雪崩能量 | 560 | mJ |
IAS | 雪崩电流 | -29 | A |
PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 104 | W |
RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.22 | |
TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
TJ | 工作结温 | -55~+150 |
100VPMOS管 40P10的电特性:
(如无特殊说明,TJ=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -100 | -110 | V | |
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-10A | 38 | 50 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-8A | 40 | 52 | |||
VGS(th) | 栅极开启电压 | -1.2 | -1.8 | -2.5 | V |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
Qg | 栅极电荷 | 92 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 17.5 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 14 | |||
Ciss | 输入电容 | 6516 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 223 | |||
Crss | 反向传输电容 | 125 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 20.5 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 32.2 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 123 | |||
tf | 开启下降时间 | 63.7 |