中低压MOSFET 15P15 PDFN3X3-8L 贴片场效应管 150V国产MOS管
中低压MOSFET 15P15的主要参数：
VDS=-150V
ID=-15A
RDS(ON)＜320mΩ@VGS=-10V(Type：270mΩ)
中低压MOSFET 15P15的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-150V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-15A
漏极电流-脉冲 IDM：-45A
单脉冲雪崩能量 EAS：102mJ
雪崩电流 IAS：10A
总耗散功率 PD：52W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：85℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：1.9℃/W
插件PMOS管 15P15的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -150 | -175 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-3A | 270 | 320 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-6V,ID=-2A | 300 | 500 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -2 | -3 | -4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 19.5 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 4.8 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 5.3 | |||
| Ciss | 输入电容 | 880 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 50 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 35 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 9 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 23 | |||
| tf | 开启下降时间 | 8 |
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