国产替换MOS管 15P15 TO-252 电源场效应管 150VPMOS管
国产替换MOS管 15P15的主要参数：
电压VDS：-150V
电流ID：-15A
内阻RDS(ON)＜320mΩ@VGS=10V(Type：270mΩ)
国产替换MOS管 15P15的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -150 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TA=25℃ | -15 | A |
漏极电流-连续 TA=70℃ | -7.2 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -45 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 102 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 10 | A |
| PD | 总耗散功率 TA=25℃ | 52 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.9 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
国产替换MOS管 15P15的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -150 | -175 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-3A | 270 | 320 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-6V,ID=-2A | 300 | 500 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -2 | -3 | -4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 19.5 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 4.8 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 5.3 | |||
| Ciss | 输入电容 | 880 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 50 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 35 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 9 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 23 | |||
| tf | 开启下降时间 | 8 |
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