P沟道MOS管30P06 PDFN5X6-8L低压国产MOSFET 手机快充用场效应管
P沟道MOS管30P06的应用领域：
锂电池保护
手机快充
P沟道MOS管30P06的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -60 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | -30 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | -27 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -85 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 113 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 47.6 | A |
| PD | 总耗散功率(TC=25℃) | 52.1 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 25 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 2.4 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
P沟道MOS管30P06的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -60 | -68 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-10A | 28 | 35 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-8A | 35 | 42 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 25 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 6.7 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 5.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3635 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 224 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 141 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 38 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 23.6 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 100 | |||
| tf | 开启下降时间 | 6.8 |
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