-55V双PMOS管 4V05 SOP-8 低压通用MOSFET MOS管选型 -55V/-4.8A
-55V双PMOS管 4V05的引脚图：
-55V双PMOS管 4V05的应用领域：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
-55V双PMOS管 4V05的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-55V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID (TA=25℃)：-4.8A
漏极电流-脉冲 IDM：-16A
总耗散功率 PD (TA=25℃)：1W
结到环境的热阻 RθJA：85℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：80℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
-55V双PMOS管 4V05的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -50 | -55 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-1.5A | 108 | 125 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-1A | 125 | 155 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 4.6 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.4 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.62 | |||
| Ciss | 输入电容 | 531 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 59 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 38 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 17.4 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 5.4 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 37.2 | |||
| tf | 开启下降时间 | 2.4 |
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