宇芯微 电池保护MOSFET 25P06 SOP-8 贴片PMOS管 -60V低压MOSFET
电池保护MOSFET 25P06的主要参数：
VDS=-60V
ID=-25A
RDS(ON)＜13mΩ@VGS=-10V(Type：10mΩ)
电池保护MOSFET 25P06的引脚图：
电池保护MOSFET 25P06的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-60V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-25A
漏极电流-脉冲 IDM：-75A
单脉冲雪崩能量 EAS：450mJ
总耗散功率 PD：110W
结到环境的热阻 RθJA：1.1℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：85℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
电池保护MOSFET 25P06的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -60 | -68 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-20A | 10 | 13 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-15A | 13 | 18 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.8 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 56 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 11 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 9 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3500 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 600 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 25 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 4.5 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 2.5 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 14.5 | |||
| tf | 开启下降时间 | 3.8 |
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