-40VPMOS管20P04 PDFN3X3-8L 超小封装MOS管 低压MOS场效应管
-40VPMOS管20P04的应用领域：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
-40VPMOS管20P04的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-40V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-20A
漏极电流-脉冲 IDM：-60A
单脉冲雪崩能量 EAS：37mJ
雪崩电流 IAS：-27.2A
总耗散功率 PD (TC=25℃)：31.3W
结到环境的热阻 RθJA：85℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：4℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
-40VPMOS管20P04的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -40 | -46 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-18A | 30 | 40 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-12A | 45 | 60 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 9 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.54 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 3.1 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1004 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 108 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 80 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 19.2 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 12.8 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 48.6 | |||
| tf | 开启下降时间 | 4.6 |
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