大电流PMOSFET管150P03 PDFN5X6-8L 低内阻国产MOS 小家电MOS管
大电流PMOSFET管150P03的引脚图:
大电流PMOSFET管150P03的应用领域:
锂电池保护
手机快充
大电流PMOSFET管150P03的极限值:
(如无特殊说明,TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS:-30V
栅极-源极电压 VGS:±20V
漏极电流-连续 ID:-150A
漏极电流-脉冲 IDM:-450A
单脉冲雪崩能量 EAS:576mJ
雪崩电流 IAS:-70A
总耗散功率 PD:150W
结到环境的热阻 RθJA:25℃/W
结到管壳的热阻 RθJC:1.06℃/W
存储温度 TSTG:-55~150℃
工作结温 TJ:-55~150℃
大电流PMOSFET管150P03的电特性:
(如无特殊说明,TJ=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -30 | -35 | V | |
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-20A | 2.5 | 3.2 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=20A | 4 | 5.2 | |||
VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.7 | -2.5 | V |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
Qg | 栅极电荷 | 130 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 12 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 31 | |||
Ciss | 输入电容 | 7000 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 820 | |||
Crss | 反向传输电容 | 540 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 14 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 13 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 65 | |||
tf | 开启下降时间 | 37 |