低压P沟道MOS管30P03 SOP-8 贴片MOSFET 国产低内阻MOS场效应管
低压P沟道MOS管30P03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | -30 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | -26.8 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -80 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 250 | mJ |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 69 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.6 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
低压P沟道MOS管30P03的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -30 | -33 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-30A | 4.9 | 6.4 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 7.5 | 10.5 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 30 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 6 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 8 | |||
| Ciss | 输入电容 | 6800 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 769 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 726 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 11 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 13 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 52 | |||
| tf | 开启下降时间 | 21 |
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