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贴片P沟道MOS管2305 SOT23-3L
贴片P沟道MOS管2305 SOT23-3L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:2305
产品封装:SOT23-3L
产品标题:贴片P沟道MOS管2305 SOT23-3L 国产MOSFET 家电用-20VMOS场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


贴片P沟道MOS管2305 SOT23-3L 国产MOSFET 家电用-20VMOS场效应管



贴片P沟道MOS管2305的主要参数:

  • VDS=-20V

  • ID=-4.9A

  • RDS(ON)<38mΩ@VGS=-4.5V

  • 封装:SOT23-3L



贴片P沟道MOS管2305的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压-20V
VGS栅极-源极电压±12
ID漏极电流-连续 TA=25℃-4.9A
漏极电流-连续 TA=70℃-3.9
IDM漏极电流-脉冲-14
PD总耗散功率 TA=25℃1.31W
总耗散功率 TA=70℃0.84
RθJA结到环境的热阻120℃/W
TSTG
存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150



贴片P沟道MOS管2305的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-20

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-4.9A


3238

静态漏源导通电阻

VGS=-2.5V,ID=-3.4A


4555

静态漏源导通电阻

VGS=-1.8V,ID=-2A


6585
VGS(th)
栅极开启电压-0.4
-1V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=-16V,VGS=0V,TJ=25℃



-1uA

零栅压漏极电流

VDS=-16V,VGS=0V,TJ=55℃



-5
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导
12.8
S
Qg栅极电荷
10.214.3nC
Qgs栅源电荷密度

1.89

2.6
Qgd栅漏电荷密度
3.14.3
Ciss输入电容
8571200pF
Coss输出电容
114160
Crss反向传输电容
108151
td(on)开启延迟时间
5.611.2ns
tr开启上升时间
40.873
td(off)关断延迟时间
33.667
tf
开启下降时间
18
36


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