低压PMOS管100P02 PDFN5X6-8L MOSFET选型 MOS管国产价格
低压PMOS管100P02的主要参数：
VDS=-20V
ID=-100A
RDS(ON)＜-2.7mΩ@VGS=-10V(Type：2.1mΩ)
低压PMOS管100P02的应用领域：
电池保护
负载开关
不间断电源（UPS）
低压PMOS管100P02的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -40 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | -100 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | -66 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -340 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 400 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | -50 | A |
| PD | 总耗散功率(TC=25℃) | 52.1 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 25 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.8 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
低压PMOS管100P02的极限值：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -20 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-30A | 2.1 | 2.7 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=-20A | 2.7 | 3.8 | |||
| 静态漏源导通电阻 VGS=-1.8V,ID=-15A | 3.8 | 5.7 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -0.4 | -0.6 | -1 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 100 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 21 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 32 | |||
| Ciss | 输入电容 | 15 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 1600 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 1068 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 20 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 50 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 100 | |||
| tf | 开启下降时间 | 40 |
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