低压N+PMOS管20G04 TO-252-4 贴片国产MOSFET 马达应用MOS场效应管
低压N+PMOS管20G04的主要参数：
1、N-CH：
VDS=40V
ID=20A
RDS(ON)＜32mΩ@VGS=10V(Type：24mΩ)
2、P-CH：
VDS=-40V
ID=-18A
RDS(ON)＜48mΩ@VGS=-10V(Type：42mΩ)
低压N+PMOS管20G04的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏极-源极电压 | 40 | -40 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TC=25℃) | 20 | -18 | A |
| 漏极电流-连续 (TC=100℃) | 15 | -16 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 35 | -36 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 15 | 45 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 10 | -10 | A |
| PD | 总耗散功率 (TC=25℃) | 20 | 25 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 5 | 5 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | -55~150 | |
低压N+PMOS管20G04的封装外形尺寸图：
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